삼성전자, ‘CXL 2.0 D램’ 개발

삼성전자는 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발했다고 12일 밝혔다.

CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다.

삼성전자는 지난해 5월 CXL 1.1 기반 CXL D램을 개발한 데 이어, 1년 만에 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램을 개발했다.

이번 제품은 PCIe 5.0(x 8레인)을 지원하며, 최대 35GB/s의 대역폭을 제공한다.

삼성전자는 CXL 2.0 D램을 연내 양산할 계획이며, 차세대 컴퓨팅 시장 수요에 따라 다양한 용량의 제품도 선보일 예정이다.

CXL D램은 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있어, 인공지능과 머신러닝 등 고속의 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받고 있다고 삼성전자는 전했다.

삼성전자의 CXL 2.0 D램은 메모리 풀링 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 여러 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나누어 사용할 수 있는 기술이다. CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있게 하는 효과가 있다. 해당 기술을 데이터센터에 적용하면 보다 효율적인 메모리 사용이 가능해 서버 운영비를 절감할 수 있다는 게 삼성전자 설명이다.

삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장 최장석 상무는 “CXL 컨소시엄의 이사회 멤버인 삼성전자는 데이터센터·서버·칩셋 등 글로벌 기업과 협력으로 CXL 생태계를 더욱 확장해 나갈 것”이라고 말했다.